实现高速资料输入和输出、低功耗、大储存容量

东京--(美国商业信息)--内存解决方案的全球领导者今日宣布，公司已开发出全球首款[1]采用硅穿孔(TSV)[3]技术的BiCS FLASH™三维(3D)闪存[2]，该产品采用每单元三位元（三阶储存单元，TLC）技术。用于开发目的的原型机已于6月开始出货，产品样品订于2017年下半年发表。这一开创性器件的原型机将于8月7-10日在美国加州圣克拉布拉举行的2017年闪存高峰会上亮相。

 

这份智慧新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅：

 

采用TSV技术制造的器件具有垂直电极和贯穿硅芯片模的通孔以提供连接，这种结构在降低功耗的同时，可实现高速资料输入和输出。其实际性能在之前推出东芝二维NAND闪存[4]时已得到验证。

 

结合48层3D闪存制程和TSV技术，使东芝内存公司能够成功增加产品程序设计带宽，同时获致低功耗。单一封装的功率效率[5]是采用引线接合技术制造的同一代BiCS FLASH™闪存功率效率的近两倍[6]。TSV BiCS FLASH™还在单一封装内实现了具有16颗粒堆叠式结构的1TB存放装置。

 

东芝内存公司将推动采用TSV技术的BiCS FLASH™的商业化，为包括高阶企业级SSD在内的储存应用提供理想的低延迟、高带宽和高IOPS[7]/watt解决方案。

 

一般规格（原型机）

封装类型

 

 

NAND Dual x8 BGA-152

储存容量

 

 

512 GB

 

1 TB

栈数：

 

 

8

 

16

外形尺寸

 

 

W

 

 

14 mm

 

14 mm

 

 

D

 

 

18 mm

 

18 mm

 

 

H

 

 

1.35 mm

 

1.85 mm

接口

 

 

Toggle DDR

最大接口速度

 

 

1066Mbps

 

注：
[1] 资料来源：东芝内存公司，截至2017年7月11日。
[2] 在硅基板上垂直堆叠闪存储存单元的结构，与平面NAND闪存（储存单元位于硅基板上）相比，其大幅提高了密度。
[3] 硅穿孔技术：该技术利用垂直电极和贯穿硅芯片模的通孔，在单一封装内提供连接。
[4] “东芝研发出全球首款搭载TSV技术的16颗粒堆叠式NAND闪存”
[5] 每个功率单位的资料传输速率。(MB/s/W)
[6] 与东芝内存公司现有产品相比。
[7] 每秒输入输出：每秒钟通过I/O埠处理的资料输入和输出量。数值越大，性能越好。

 

原文版本可在businesswire.com上查阅：

 

免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

 

联络方式：

 

东芝内存公司
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
商业规划部

 

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